삼성전자는 회로선폭이 머리카락 굵기(100미크론)의 666분의 1에 불과한 0.15미크론의 초미세 공정을 적용한 3세대 256메가비트(Mb)램버스 D램〈사진〉의 양산에 들어간다고 7일 발표했다.
　이번에 적용된 0.15미크론 공정기술은 기존의 0.19미크론 및 0.17미크론에 이은 3세대로 삼성전자는 현재 주력제품인 128메가 램버스 D램을 연말부터 256메가 램버스 D램으로 본격 세대교체할 계획이다.
　삼성전자는 또 기존에 0.17미크론 공정을 적용한 128메가 램버스 D램의 칩 크기가 일반 SD램 제품보다 23% 가량 컸으나 이번에 양산하는 256메가 제품은 SD램과의 크기 격차를 9%로 줄여, 제품의 원가를 획기적으로 줄일 수 있다고 설명했다.〈심언규기자〉

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