삼성전자가 업계 최초로 2세대 10나노급(1y) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR4X(Low Power Double Data Rate 4X) 모바일 D램을 양산하기 시작했다.

삼성전자는 지난해 11월 2세대 10나노급 8Gb DDR4 서버 D램을 양산한 지 8개월 만에 16Gb LPDDR4X 모바일 D램 양산에 돌입했다고 26일 밝혔다.

삼성전자는 이달부터 평택캠퍼스에서 D램 생산을 본격 시작, 최첨단 모바일 D램 수요 확대에 안정적으로 공급할 체계를 갖추게 됐다.

2세대 10나노급 16Gb LPDDR4X D램은 2013년 양산된 20나노급 4Gb LPDDR3 모바일 D램과 비교할 때 속도와 생산성이 2배 향상됐다고 삼성전자 측은 설명했다.

또 최신 플래그십 스마트폰에 탑재된 1세대 10나노급 16Gb LPDDR4X와 비교하면 동작속도는 동일하지만 소비 전력량이 10% 절감돼 모바일 기기의 배터리 사용시간을 더욱 늘릴 수 있다고 덧붙였다.

특히 16Gb 칩 4개가 탑재된 8GB D램 패키지는 초당 34.1GB(기가바이트)의 데이터를 전송할 수 있으며, 1세대 대비 패키지의 두께가 20% 이상 감소해 슬림한 모바일 기기를 디지인할 수 있도록 지원한다.

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전세원 전무는 "업계 유일 2세대 10나노급 모바일 D램 양산으로 차세대 모바일 기기의 D램 용량 증대에 더욱 적극 대응하게 됐다"며 "앞으로도 프리미엄 D램 라인업을 확대해 '초고속·고용량·초절전' 메모리 시장 트렌드를 지속 주도해 나갈 것"이라고 말했다.

/이종철 기자 jclee@incheonilbo.com

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